晶間腐蝕是金屬在適宜的腐蝕環(huán)境中沿著或緊挨著材料的晶粒間界發(fā)生和發(fā)展的局部腐蝕破壞形態(tài)。

　　晶間腐蝕從金屬材料表面開始，沿著晶界向內(nèi)部發(fā)展，使晶粒間的結合力喪失，以致材料的強度幾乎完全消失。例如，經(jīng)受這種腐蝕的不銹鋼材料，外表雖然還十分光亮，但輕輕敲擊可能碎成細粉。因此，晶間腐蝕是一種危害性很大的局部腐蝕。

　　晶間腐蝕的產(chǎn)生必須具備兩個條件：

　　①晶界物質(zhì)的物理化學狀態(tài)與晶粒不同;

　?、谔囟ǖ沫h(huán)境因素。

　　晶間腐蝕常在不銹鋼、鎳基合金、銅合金等合金上發(fā)生，主要在焊接接頭上或經(jīng)一定熱處理后使用時發(fā)生。

　　晶間腐蝕不僅導致材料的承載能力降低，而且誘發(fā)晶間型應力腐蝕開裂，或引發(fā)點腐蝕。

　　晶間腐蝕的根本原因是晶粒間界及其附近區(qū)域與晶粒內(nèi)部存在電化學上的不均勻性，這種不均勻性是金屬材料在熔煉、焊接和熱處理等過程中造成的。

　　例如：①晶界析出第二相，造成晶界某一合金成分的貧乏化;

　?、诰Ы缥龀鲆子诟g的陽極相;

　?、垭s質(zhì)與溶質(zhì)原子在晶界區(qū)偏析;

　　④晶界區(qū)原子排列雜亂，位錯密度高;

　?、菪孪辔龀龌蜣D變，造成晶界處較大的內(nèi)應力。這些原因均可能構成特定體系的晶間腐蝕機理模型。

　　總之，當某種介質(zhì)與金屬所共同決定的電位下，晶界的溶解電流密度遠大于晶粒本身的溶解電流密度時，便可產(chǎn)生晶間腐蝕。

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